（通讯员 杨眉）应环球360娱乐官网邀请，台湾中山大学物理系张鼎张教授于10月13日来院交流访问，并于10月14上午和下午在南校区G栋报告厅分别作了两场学术报告。上午的报告主要面向教师和研究生，题为“纳米电子学产学经验分享”，下午的报告主要面向本科生，题为“纳米电子技术与平板显示技术简介”，报告会由副院长马晓华主持。

     张教授首先介绍了他所在的半导体纳米元件与平板显示技术实验室，并与大家交流了产学结合方面的经验和看法。他讲到，好的科研题目是成功的关键，要从产业界寻找有价值的题目。通过主动拜访，听取需求，主动尝试分析和解决一些问题，以此赢得厂家的信赖。由此，厂商愿意与课题组探讨更多的难题，提供相应的项目，由实验室帮助解决。这样就将产业界的资源引入到科研实验室，同时获得更多有价值的题目，促进实验室的发展。在帮助企业解决难题的过程中，通过分析找到问题产生的原因和物理机制，撰写高水平的学术论文，而解决问题的方案则转交给公司成为发明专利。张教授介绍了自己的课题组和台积电、友达光电等公司在MOSFET、IGZO薄膜晶体管方面的合作案例，让大家既了解到产学合作的方式，也熟悉了相关高新技术的最近进展和面临的问题。
     张教授还介绍了纳米MOSFET的发展历程和问题。他提到，通过微缩化，晶体管的密度和速度不断提高，芯片性能也得到提升。然而当器件尺寸进一步缩小时，漏电问题变得越来越严重，因此芯片温度过高，器件开始失效。因此MOSFET微缩化的进程中所要解决的核心问题是减小漏电。过去采用金属加高k介质，微缩化得以向前推进一大步。现在FinFET可能是解决漏电问题的最优方案。实际上，最新的技术中使用的就是FinFET。
     环球360娱乐官网60余名师生聆听了报告。报告会后，张鼎张教授与学院师生进行了互动交流。
     
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      张鼎张教授是台湾中山大学物理系特聘教授。张教授分别于1986年获得台湾师范大学物理系学士学位，1989年获得台湾大学物理学硕士学位，1994年获得交通大学电子所博士学位。此后，张教授在国家纳米元件实验室担任副研究员、研究员，并于2002年加入台湾中山大学，担任物理系教授。张教授的研究兴趣涵盖信息存储器件（如RRAM、SONOS、Nanodots等），先进金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、薄膜晶体管显示技术以及半导体器件物理。张教授承担了多项来自台积电、友达光电、群创光电、奇美电子和联华电子等半导体技术公司的研究项目，与产业界建立了良好的合作关系。近五年，张教授作为通讯作者在Materials Today，Applied Physics Letters, IEEE Electron Device Letter等国际知名期刊上发表学术论文两百多篇。申请台湾专利130余项，美国专利60余项，大陆专利近30项。张教授曾获得台湾经济部第四届国家产业创新奖、第八届纳米产业科技菁英奖、中国工程师学会杰出工程教授奖、产学研合作奖等奖项。